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型号 SI7980DP-T1-E3
厂商 Vishay Siliconix
描述 MOSFET 2N-CH 20V 8A PPAK 8SOIC
SI7980DP-T1-E3 PDF
代理商 SI7980DP-T1-E3
标准包装 3,000
系列 TrenchFET®
FET 型 2 个 N 沟道（双）
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 8A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 22 毫欧 @ 5A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 27nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 1010pF @ 10V
功率 - 最大 19.8W，21.9W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 PowerPAK? SO-8 双
供应商设备封装 PowerPAK? SO-8 Dual
包装 带卷 (TR)
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